SBT30100VDC-ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VDC(肖特基二极管的压降是多少)。

摘要:封装中使用的芯片尺寸都是一样的，都是低压肖特基二极管。以上是低压差肖特基二极管的详细介绍。

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SBT30100VDC采用TO-263封装的两片芯片，尺寸均为94MIL，为低压差肖特基二极管。SBT30100VDC的浪涌电流Ifsm为250A，泄漏电流(Ir)为8uA。SBT 30100VDC的温度范围是-65~150℃。SBT30100VDC采用金属硅芯片，由两块芯片组成。SBT30100VDC的电气参数如下:正向电流(Io)30A，反向耐压100V，直流电压(VF)0.52v，恢复时间(Trr)5 ns，包括3根引线。

SBT30100VDC的参数描述

型号:SBT30100VDC

包装:TO-263

特点:低压差肖特基二极管

电气参数:30A，100V。

芯片材料:金属硅芯片

正向电流(IO): 30A

筹码数量:2

直流电压:0.52伏

芯片尺寸:94密耳

浪涌电流Ifsm:250A

泄漏电流(IR): 8ua

工作温度:-65～+150℃

恢复时间(Trr):