IR2103H桥驱动电路（ir2130h桥驱动器）

总结：自举电路拉低时，电路对自举电容充电；拉高时，电路对自举电容充电。 有关规划信息，请参阅高压栅极驱动自举电路设计和应用指南。

H桥

H桥采用MOS作为开关来控制电机导通。 要使电机转动，Mos管必须对角导通，即Q1和Q6导通，Q2和Q5截止。

IR2103

照片中的nmos管IR7843，导通电压为2.3V。 要导通上下桥臂，下桥臂Q2只需要发送3.3V的电压即可导通。 然而，在上桥臂中，当Q1导通时，漏极D和源极S处的电压近似相等。 ，Q1截止，所以我们需要将VCC加到stm32过来的3.3V电压上才能将其开启，所以这里需要一个自举电路。 考虑到团队的祖传解决方案，这里使用了IR2103驱动芯片。

自举电路

当VS 被拉低时，电路VCC 对自举电容CBOOT 充电。 当 VS 上拉时，VBS 对自举电容 CBOOT 充电。

推荐值（计算过大） 自举电容CBOOT：电容两端的电压不会快速变化，维持自举电压。 100NF-570NF 自举电阻RBOOT：限制自举电容的充电容量，但不能太大而导致电压下降。 5-10欧姆导通栅极电阻RG1.2：根据MOS开关速度调整开关时间。

规划方案

参考：1. https://www.zhihu.com/people/liang-zi-67-92 2. 高压门驱动IC自举电路设计与应用指南