HER608-ASEMI高效恢复二极管 HER608（6030快恢复二极管）

总结：封装中小编使用的芯片是一款小电流直插式高效恢复二极管。 电气参数包括正向电流、反向耐压、正向电压、恢复时间、引线。 专为低压、高频、续流和极性保护应用而设计。 以上就是对高效恢复二极管的详细介绍。

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HER608 使用 R-6 封装中的一颗芯片。 小电流、直插式、高效率恢复二极管。 HER608的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流（Ir）为10uA，工作温度范围为-65至150℃。 HER608采用GPP硅芯片材料制成，内部由一颗芯片组成。 HER608的电气参数为正向电流（Io）6A，反向耐压1000V，正向电压（VF）1.7V，恢复时间（Trr）75nS，两根引线。

HER608参数说明

型号：HER608

封装：R-6

特点：低电流、直插式高效恢复二极管

电气参数：6A 1000V

芯片材质：GPP

正向电流 (Io): 6A

芯片数量：1

正向电压（VF）：1.7V

浪涌电流Ifsm: 200A

漏电流（Ir）：10uA

工作温度：-65~+ 150℃

恢复时间（Trr）：75nS

潜在客户数量：2

HER608 低电流、直插式封装系列。本体长度为 9.1 mm，引线长度为 59.9 mm，宽度为 9.1 mm，高度为 9.1 mm。HER608 是一款高效率、低 VF HER608 具有以下特点例如电流能力、高可靠性和高浪涌电流能力，用于低压、高频、续流和极性保护应用。 .0001pt;text-align:justify;">以上是HER608-ASEMI高效恢复二极管HER608的介绍。