MBR10100FCT-ASEMI 肖特基二极管 MBR10100FCT（30100 肖特基二极管）

总结：小编在封装中使用的芯片是肖特基二极管。 电气参数包括正向电流、反向耐压、正向电压、引线。 这是肖特基二极管的详细说明。

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MBR10100FCT 使用 TO-220 封装中的两个芯片，即肖特基二极管。 MBR10100FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，工作温度范围为-65至175℃。 MBR10100FCT采用SI芯片材料制成，由两颗芯片组成。 MBR10100FCT的电气参数为正向电流（Io）10A、反向耐压100V、正向电压（VF）0.8V、三根引线。

MBR10100FCT参数说明

型号：MBR10100FCT

封装：TO-220

特性：肖特基二极管

电气参数：10A、100V

芯片材质：SI

正向电流（Io）：10A

芯片数量：2

正向电压（VF）：0.8V

芯片尺寸：86MIL

浪涌电流Ifsm：150A

漏电流 (Ir): 0.05mA

工作温度：-65~+175℃

恢复时间; （特尔）：